In situ TEM-Untersuchungen von elektrochemischen Prozessen beim remanenten Widerstandsschalten in Perowskit-Metall-Heterostrukturen
Final Report Abstract
Um das Phänomen des remanenten Widerstandsschalten besser zu verstehen, wurden in diesem Projekt Metall-PCMO-Metall Heterostrukturen aus verschiedenen Perspektiven untersucht. In den elektrischen Messungen zeigt sich, dass weitgehend unabhängig von den Herstellungsparametern, zwei Schaltmodi auftreten: Bei niedrigen Spannungen bzw. kurzer Pulsdauer sogenanntes positives Schalten und ab höheren Spannungen bzw. längere Pulsdauer ab einem kritischen Wert sogenanntes negatives Schalten mit entgegengesetzter Polarität. Zudem kann der elektrische Widerstand in einen Grenzflächenanteil und einen Volumenanteil separiert werden, die beide von polaronischem Transport charakterisiert werden. Mittels einer Mikro-Dreipunktmessungen, sowie vergleichenden TEM Analysen können die aktiven Regionen der Schaltregime an die Grenzfläche zur Unterelektrode (PS) und Oberelektrode (NS) lokalisiert werden. Aus der Gesamtheit dieser Ergebnisse folgern wir ein Modell der Vergrößerung und Verringerung einer effektiven Kontaktfläche, die sich aufgrund von Elektromigration von Sauerstoffleerstellen ändert. Im Zuge der Überprüfung dieses Modells mit in situ TEM Methoden wurde ein elektrischer Aufbau entwickelt, der mittels zwei fester Kontakte reproduzierbare elektrische Messungen mit niedrigem Kontaktwiderstand sicherstellt. Detaillierte in situ TEM Schaltexperimente konnten zwar keine größeren sauerstoffverarmten Bereiche im PCMO identifizieren, sie konnten jedoch sowohl eine inhomogene Sauerstoffverteilung, Änderungen in Konzentrationsgradienten, sowie eine hohe Dynamik in der Sauerstoffleerstellenverteilung belegen, was ein solches Modell prinzipiell unterstützt. Ein Leerstellen-induzierter Metall-Isolatorübergang in grenzflächennahen Bereichen wird als wahrscheinlicher Mechanismus identifiziert, mit dem kleine Änderungen in der lokalen Sauerstoffkonzentration zu sehr großen Änderungen im elektrischen Widerstand führen können.
Publications
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M. Scherff
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M. Scherff, B.-U. Meyer, J. Hoffmann, Ch. Jooss, M. Feuchter, M. Kamlah
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