Bei Temperaturen um 120°C prozessierte amorphe Zinkoxid Dünnschichten und Oberflächenbehandlungen, zur Beeinflussung der Transportenergieniveaus und Ladungsträger-Transporteigenschaften (z.B. von n- zu p-typ) für die Verwendung in Photovoltaik-, Elektrolumineszenz- und Transistor-Bauelementen auf flexiblen Substraten.

• Antragsteller: Dr. Simon Bubel
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2011 bis 2014
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 196921392

Ziel des Vorhabens ist die Analyse und Bewertung von bei Temperaturen um 120°C prozessiertem amorphen Zinkoxid (a-ZnO) und anderen oberflächendominierten ZnO Schichten, zur Verwendung als abstimmbarer Baustein in Photovoltaik-, Elektrolumineszenz- und Transistor-Anwendungen. Das Vorhaben umfasst folgende Punkte:- Analyse der elektronischen Transportzustände in intrinsisch n-dotierten a-ZnO Dünnschichten aus ammoniakalischer Precursorlösung- Nachbehandlung der Schichten durch Infiltration und Belegung mit Elektronenspendenden und -annehmenden organischen Adsorbaten. Untersuchung der Abstimmbarkeit zwischen isolierend, halbleitend und leitend- p-Dotierung mit Stickstoff in mit Schwefel anionisch substituiertem a-ZnO mit Bezug auf folgende Punkte:- Passivierung der a-ZnO Oberfläche mit Schwefel zur Minimierung der hohen Oberflächen-Zustandsdichte (Vergleich kristallines ZnO (c-ZnO))- Einfluss von Akzeptormigration an Zwischengitterplätze, bzw. Akzeptor-Selbstkompensation: a-ZnO im Vergleich zu c-ZnO- Löslichkeit des Dotierstoffes in a-ZnO (Vergleich c-ZnO)- Akzeptor-Aktivierungsenergie in a-ZnO:ZnS im Vergleich zu c-ZnO und Korngrenzen in c-ZnO- Herstellung und Charakterisierung von Elektrolumineszenz-, Photovoltaik- und Transistor-Testbaugruppen mit den veränderten a-ZnO Schichten.

• DFG-Verfahren: Forschungsstipendien
• Internationaler Bezug: USA
• Gastgeber: Professor Dr. Michael Chabinyc