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Rastertunnelmikroskop

Fachliche Zuordnung Optik, Quantenoptik und Physik der Atome, Moleküle und Plasmen
Förderung Förderung in 2010
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 190813742
 
Erstellungsjahr 2014

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Das im Rahmen dieser Förderung beschaffte Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskop mit dem dazugehörigen, aus Präparations- und Analysekammer bestehenden Ultrahochvakuum-System wird im Wesentlichen für die Untersuchung von Oberflächen benutzt, deren elektronische Eigenschaften stark durch Effekte der Spin-Bahn-Kopplung beeinflusst werden. Hierzu zählen insbesondere sogenannte Rashba-Systeme, wie z.B. Oberflächenlegierungen von Wismut oder Blei auf Silber- oder Kupfer-(111)-Kristallen, aber auch die Oberflächen topologischer Isolatoren, z.B. Bi2Te3, die kürzlich verstärktes Interesse erfahren. In beiden Fällen wird neben der topographischen Abbildung der Oberflächen und der konventionellen I-V-Spektroskopie die sogenannte Quasiteilchen-Interferenz elektronischer Zustände ausgenutzt, um die Dispersionsrelation elektronischer Zustände zu bestimmen. Von besonderem Interesse ist hierbei die Wechselwirkung der elektronischen Oberflächenzustände mit einzelnen magnetischen bzw. nicht-magnetischen Atomen. Diese werden mit geringster Dichte von unter 1% mittels eines Elektronenstrahl-Verdampfers auf die kalte Probenoberfläche aufgedampft. Aufgrund der hohen Stabilität des verwendeten Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskops kann hierbei vor und nach der Deposition der Atome die exakt gleiche Stelle der Probenoberfläche untersucht werden (lateraler Versatz < 100 nm). Durch diese Vorgehensweise lassen sich experimentelle Artefakte, wie sie z.B. durch laterale Variation der Eigenschaften des Substrats hervorgerufen werden können, vermeiden.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

 
 

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