Strukturnahe Modellierung von Nanoscale Multiple-Gate FETs zur Schaltungssimulation
Final Report Abstract
Zusammenfassend lässt sich feststellen, dass ein umfassendes Strukturmodell für die Elektrostatik in dotierten junction-based und junctionless DG-MOSFETs entwickelt wurde, welches die Formulierung analytisch geschlossener Gleichungen zur Implementierung in Schaltungssimulatoren möglich machte. Das Modell erfordert eine minimale Anzahl von Parametern, welche alle einen hohen Bezug zur Bauelementstruktur aufweisen. Zweidimensionale Effekte wurden konsequent berücksichtigt. Teilweise erfolgte bereits eine Erweiterung auf Triple-Gate-Strukturen durch Berücksichtigung dreidimensionaler Effekte. Die abgeleiteten Stromgleichungen für die betrachteten Bauelemente verwenden eine einheitliche Beschreibung der beweglichen Ladung für alle Betriebszustände. Quantisierungseffekte und der Effekt der Volumeninversion wurden berücksichtigt. Mit diesen Resultaten konnten die wesentlichen Ziele des Projekts erreicht werden, sogar mit der notwendig gewordenen Ergänzung für dotierte junction-based und junctionless Transistorstrukturen.
Publications
- “MOS³: A New Physics-Based Explicit Compact Model for Lightly Doped Short-Channel Triple-Gate SOI MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 59, No. 2, pp. 349-358, Feb. 2012
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M. Schwarz, T. Holtij, A. Kloes, B. Iñíguez
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M. Schwarz, T. Holtij, A. Kloes, B. Iniguez
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A. Kloes, M. Schwarz, T. Holtij, A. Navas
(See online at https://doi.org/10.1109/TED.2013.2271093) - Threshold Voltage, and 2D Potential Modeling Within Short-Channel Junctionless DG MOSFETs in Subthreshold Region, Solid State Electron, Vol. 90, pp. 107-115, December 2013
T. Holtij, M. Schwarz, A. Kloes, B. Iniguez
(See online at https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.02.044)
