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Kristallzüchtung von (Cd,Zn)Te durch Detached Bridgman Growth

Subject Area Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Experimental Condensed Matter Physics
Term from 2010 to 2014
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 172278037
 
Die Methode des Detached Bridgman Growth ist von großer Bedeutung zur Kristallzüchtung von Halbleitern und optischen Kristallen. Das Phänomen wurde zuerst bei Experimenten unter Schwerelosigkeit beobachtet, bei denen die Schmelze den Tiegel nicht benetzte und eine wandfreie Züchtung ermöglichte. Dadurch wird die Bildung von Defekten und der Einbau von Verunreinigungen deutlich reduziert. Die Umsetzung dieses Verfahren auf die Kristallzüchtung unter Laborbedingungen zeigte bereits deutliche Verbesserungen des Materials, aber auch eine Instabilität während des Vorgangs der Kristallzüchtung. Um Detached Growth als erfolgreiches Kristallzüchtungsverfahren einsetzen zu können, ist daher ein fundiertes Verständnis des Detached Phänomens erforderlich: Dies kann nur durch intensive theoretische wie auch experimentelle Arbeiten erreicht werden. Zu diesem Zweck soll die internationale Kollaboration zwischen der Albert-Ludwigs-Universität Freiburg (ALU) und der University of Minnesota (UMN) durchgeführt werden. Die experimentellen Arbeiten zur Kristallzüchtung werden an der ALU durchgeführt und die Berechnungen und Simulationen an der UMN. Durch die Synergie der unterschiedlichen Vorkenntnisse und Fähigkeiten der beiden Arbeitsgruppen wird man in der Lage sein, die bestehenden Einschränkungen des Detached Growth zu überwinden.Ziel der Kollaboration ist die Umsetzung des Detached Growth auf industriellen Anforderungen für die Kristallzüchtung von Kristallen mit einem großen Durchmesser und angepassten elektronischen Eigenschaften.
DFG Programme Research Grants
International Connection USA
 
 

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