Graphene on SiC wafers for high performant RF transistors GRAPHIC RF

• Antragsteller: Professor Dr. Oleg Pankratov; Professor Dr. Thomas Seyller
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik ; Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2010 bis 2016
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 163392002

The project aims to improve the basic knowledge on epitaxial graphene growth on SiC to establish the possibility to obtain the electronics quality required for Rf device fabrication. Different polytypes will be considered.simulations will be implemented. Standards and references will be established. Rf devices will be fabricated and characterised. Also other advanced devices will be considered.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Internationaler Bezug: Frankreich, Italien, Schweden
• Beteiligte Personen: Dr. Jean Camassel; Dr. Vito Raineri; Professorin Dr. Rositza Yakimova