Hochauflösendes analytisches Rasterelektronenmikroskop
Final Report Abstract
Das hochauflösende Rasterelektronenmikroskop wird an der Hochschule Osnabrück im Wesentlichen zur detaillierten Untersuchung der Schädigungsmechanismen Ermüdung und Korrosion beim Einsatz metallischer Werkstoffe eingesetzt. Darunter fallen Nickelbasis-Superlegierungen, nanostrukturierte Aluminiumlegierungen, zellulare Metalle und hochfeste Stähle. Mit Hilfe der Rückstreuelektronenbeugung (EBSD) kann die Verteilung der kristallographischen Orientierung mit der Entstehung und Ausbreitung kurzer Ermüdungsrisse korreliert werden. Diese Daten dienen als Basis für die Entwicklung eines physikalisch basierten numerischen Modells zur Vorausberechnung der Ermüdungslebensdauer für Beanspruchungen mit sehr hohen Zyklenzahlen. Ferner dienen die Arbeiten mit Hochauflösung unter Einbeziehung von EBSD und der energiedispersiven Röntgenspektroskopie (EDX) der Identifikation ermüdungsresistenter Mikrostrukturen, bspw. durch ultrafeinkörnige Gefüge oder eine optimale Verteilung und Größe von Zweitphasen, wie Karbide in Stählen oder intermetallische Phasen in Nickelbasis-Superlegierungen (γ´-Ni3Al, ẟ, γ´´-Ni3Nb), Aluminiumlegierungen und Kupferlegierungen. Neben der Arbeitsgruppe des Hauptantragstellers wird das Gerät vom Laborbereich Kunststofftechnik und dem Laborbereich Verfahrenstechnik der Hochschule Osnabrück sowie vom Institut für Neue Materialien und dem Institut für Zoologie der Universität Osnabrück auf dem gleichen Campus genutzt. Forschungsarbeiten zielen hier auf der Nutzung von Kohlenstoff-Nanoröhren als Verstärkungsphasen für Kunststoffe (Kunststofftechnik), die Charakterisierung nanoporöser Keramiken (Institut für neue Materialien) oder funktionsmorphologische Untersuchungen von bspw. Anneliden (Institut für Zoologie). Durch die Integration eines Kryotransfersystems und eines Gasinjektionssystems ist es möglich, auch flüssigkeitsenthaltende organische Systeme wie Tumorgewebe, Bakterien o.ä. ohne Trocknungsprozess zu untersuchen. Alle Bereiche profitieren vor allem aber von der hohen erreichbaren Auflösung von 1nm. Bei dem REM handelt es sich um eine Basis-Einheit für ein Focussed-Ion-Beam-System. Eine entsprechende Aufrüstung konnte durch einen weiteren Großgeräteantrag 2014 realisiert werden.
Publications
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