Konformationsänderungen von Einzelmolekülen an Halbleiter-Oberflächen induziert durch inelastische Tunnelprozesse (A02)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2005 bis 2017
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 12489635

Mittels Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie werden Einzelmoleküle mit Konformationsisomerieauf Halbleiteroberflächen und ultradünnen Isolatorschichten untersucht. Ziel ist es,Konformationsänderungen und angeregte molekulare Zustände durch inelastische Tunnelprozesse zuerzeugen und die Moleküldynamik über die adsorptive Bindung (Molekül/Substrat-Kopplung und molekulareOrientierung) zu kontrollieren. Hierdurch soll ein detailliertes Verständnis für die Wechselbeziehungzwischen Einzelmoleküldynamik und elektrischem Transport durch das Molekül entwickelt werden.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 658: Elementarprozesse in molekularen Schaltern auf Oberflächen
• Antragstellende Institution: Freie Universität Berlin
• Mitantragstellende Institution: Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI)
• Teilprojektleiter: Dr. Stefan Fölsch