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Professor Dr. Ferdinand Scholz

Adresse Universität Ulm
Fakultät Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Institut für Funktionelle Nanosysteme
Albert-Einstein-Allee 47
89081 Ulm

Projekte

Als Antragsteller
- abgeschlossene Projekte
  - Untersuchung von Verspannung und Piezoelektrizität in GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen (Schwerpunktprogramme)
  - Untersuchungen von AIN und AIN-Al2O3-Strukturen als neue Materialien für elektronische Hochtemperatur-Hochleistungs-Bauelemente (Sachbeihilfen)
  - Untersuchungen zu semipolaren GaInN-Quantenfilmen auf strukturierten Oberflächen für Anwendungen in Laserdioden (Sachbeihilfen)
  - Low-noise platform for in situ structural and electrical characterization by sub-Ångstrøm low-voltage transmission electron microscopy (SALVE IV) (Sachbeihilfen)
  - coordination project (Forschungsgruppen)
  - Investigations on HVPE of non-and semipolar GaN (Forschungsgruppen)
  - Semipolar GaInN quantum wells on pre-structured surfaces for applications in laser diodes (Forschungsgruppen)
  - Untersuchungen zur Epitaxie von AlBGaN-Heterostrukturen für Anwendungen in UV-LEDs (Sachbeihilfen)
  - Untersuchungen zur Herstellung von GaN-basierten vertikalen Feldeffekt-Transistorstrukturen für Anwendungen in der Hochleistungselektronik (Sachbeihilfen)
Als Sprecher
- abgeschlossene Projekte
  - FOR 957: Polarization Field Control in Nitride Light Emitters (Forschungsgruppen)
Als beteiligter Wissenschaftler
- abgeschlossene Projekte
  - GRK 285: Innere Grenzflächen in kristallinen Materialien - Von der atomaren Struktur innerer Grenzflächen zu den Werkstoffeigenschaften (Graduiertenkollegs)
Als Beteiligte Person
- abgeschlossene Projekte
  - Herstellung und Untersuchung von elektrisch betriebenen AlGaN/GaN/GaInN-DFB-Laserstrukturen (Schwerpunktprogramme)
  - Optimierung der Bragg-Spiegel von Vertikallaserdioden mittels In-Situ Reflexionsmessungen während des epitaktischen Wachstums für VCSEL mit hoher Modulationsbandbreite (Schwerpunktprogramme)
  - Rekombinationsprozesse und lokale elektronische Eigenschaften in (Al,Ga,In)N-Heterostrukturen (Schwerpunktprogramme)

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